3月30日，由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办的2023中国IC设计成就奖颁奖典礼在上海进行。pg电子娱乐官网游戏地址半导体自主设计研发的1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT荣获“年度最佳功率器件/宽禁带器件”奖项！pg电子娱乐官网游戏地址半导体将继续保持自主创新，专注碳化硅（SiC）功率器件设计与研发，推动中国功率半导体产业的发展。
中国IC设计成就奖
2023年是第21年连续举办IC设计调查及奖项评选，因其秉持公正、客观的评选标准，成为我国半导体产业IC设计领域极具公信力的社会品牌，同时是最具专业性和影响力的技术奖项之一，受到业界的广泛认可。“中国IC设计成就奖”分为IC设计公司奖项、热门IC产品奖项、上游服务供应商奖项和分析师推荐奖项四大类，旨在表彰业内优秀的中国IC设计公司、半导体器件和热门IC产品。pg电子娱乐官网游戏地址半导体1200V/75mΩ 碳化硅场效应管-NC1M120C75HT获此殊荣，证明了pg电子娱乐官网游戏地址半导体在引领电子设计创新中做出的杰出贡献。
碳化硅场效应管
1200V/75mΩ碳化硅场效应管-NC1M120C75HT
具有全面优异的电学性能、鲁棒性、可靠性，在大幅度降低静态损耗的同时减小动态损耗，可以提高系统整体功率密度，降低系统总成本，产品特点如下：
1.低比导通电阻:
Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2
2.短路耐受时间＞3μs
3.低密勒电容：Cgd=5pF
4.栅氧化层长期可靠，电场强度远小于常规4.0MV/cm限制
5.阈值电压（Vth）高达2.8V，抗串扰能力强
pg电子娱乐官网游戏地址半导体
成都pg电子娱乐官网游戏地址半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
pg电子娱乐官网游戏地址半导体拥有高性价比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
pg电子娱乐官网游戏地址半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。